基于对象引用关系的Java程序内存行为分析方法

本文提出一种基于对象引用关系的Java程序内存行为分析方法.与传统的通过内存消耗的大小来确定程序中数据结构的重要性并分析相关内存行为的方法不同,本文方法同时考虑内存消耗和内存支配两个因素来确定一个数据结构在程序内存行为中的重要性,通过研究数据结构之间在内存使用上的支配关系和对数据结构进行引用分析,得到程序中重要的内存行为.实验结果表明该方法能有效地分析程序的内存行为,且对比其它方法能提供更加准确的内存行为分析结果.     

基于宽带DRFM的雷达面目标回波模拟技术

针对跳频雷达高度表大地面目标回波信号的模拟,提出了一种基于宽带数字射频存储(DRFM)技术的实现方案。首先介绍了1.2 GHz带宽、3 GHz采样的宽带DRFM组件硬件平台,然后重点叙述了基于DRFM技术的雷达高度表大地面目标回波模拟的算法设计方案,通过采用多路并行处理、多相滤波、正交调制等技术实现了数字下变频、目标回波特征调制、数字上变频等关键算法,最后给出了算法仿真和硬件调试结果,验证了算法的正确性和有效性。该方案已成功应用到某宽带跳频雷达高度表大地面目标回波模拟系统的设计中。     

基于仲裁器PUF的SRAM FPGA防克隆技术设计与实现

为保护电子设备中使用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)内部电路设计不被窃取,设计了用于SRAM FPGA的防克隆电路.该电路利用FPGA制造过程中的随机误差,提取每块芯片独一无二的ID.在此ID的控制下,被保护电路只能在指定的FPGA中正常运行,而在未指定的FPGA中运行时,无法产生正确的输出,从而达到防克隆目的.防克隆电路由使用仲裁器的物理不可克隆函数(PUF)、多数表决器、运算门阵列等三部分构成,其中仲裁器PUF电路用于提取ID,多数表决器起到提高输出稳定性的作用.最后在FPGA开发平台上证明了该电路的可行性.     

Ar/CO/NH3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层

基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小.两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角.     

具有断电续存功能固态存储器的设计

针对飞行器飞行过程中因偶然瞬时断电而导致已存储的数据会被覆盖记录的问题而提出了具有断电续存功能固态存储器的设计方案。以FPGA作为主控芯片,RS-422与LVDS作为硬件通信手段,NAND型FLASH为存储核心,着重在交替双平面存储方式的基础上通过编程实现了断电续存功能。经大量实测数据的科学分析表明,具有断电续存功能固态存储器的设计已成功实现,解决了瞬时断电后数据会被覆盖记录的问题,满足某型号飞行器的需要。     

Crystallization kinetics of Sn40Se60 thin films for phase change memory applications

The crystallization kinetics of Sn₄₀Se₆₀ thin films has been successfully investigated using sheet resistance versus temperature measurements. Thermal evaporation was used to deposit the films on ordinary glass substrates. The crystallization temperature for Sn₄₀Se₆₀ thin film was found to be 156.6 ± 0.3 ℃. In the as-deposited state, the sheet resistance was found to be 195 MΩ, this value declined to 1560 Ω/口 upon annealing. The value of activation energy obtained from the Kissinger plot was 0.62 ± 0.07 eV. From the results obtained, Sn₄₀Se₆₀ is a promising alloy for PCM application because of its high electrical contrast, high crystallization temperature, and relatively high activation energy.     

一种接触质量高和兼容特性好的金属-量子点-金属结构的自对准制备方法

我们报道了一种“金属-量子点-金属”结构的自对准制备方法。该方法主要包括“电子束曝光-薄膜淀积-刻蚀”工艺,具有套刻容限大、开发周期短以及可兼容多种材料等优点,尤其适用于具有类似结构的纳米器件制备。该方法中使用的牺牲层工艺和强化版图,降低了剥离工艺的难度,提升了可制备器件结构的力学强度。最后,作为应用实例,我们用该方法制备了尺寸为 255 nm × 45 nm × 30 nm（ 长 × 宽 × 高)的相变节点。     

基于反射内存网的红外导引头测试系统通信技术

针对武器装备的半实物仿真测试系统对实时通信的需求,提出了一种基于反射内存通信网络实现的红外空空导弹导引头动态测试系统,并给出了测试系统的组成、工作原理、软件设计方案和具体实现途径。在对反射内存网络原理深入分析的基础上,搭建了基于该红外导引头测试系统的物理平台,并对关键指标进行严格测试。测试结果表明,反射内存网络可以很好的适应半实物红外导引头测试系统对网络通信的强实时性、低迟延、高速率等各方面不断增长的要求。     

A finite element model of shape memory polymer composite beams for space applications

Structures made of shape memory polymer composite (SMPC), due to their ability to be formed into a desired compact loading shape and then transformed back to their original aperture by means of an applied stimulus, are an ideal solution to deployment problems of large and lightweight space structures. In the literature, there is a wide array of work on constitutive laws and qualitative analyses of SMP materials; dynamic equations and numerical solution methods for SMPC structures have rarely been addressed. In this work, a macroscopic model for the shape fixation and shape recovery processes of SMPC structures and a finite element formulation for relevant numerical solutions are developed. To demonstrate basic concepts, a cantilever SMPC beam is used in the presentation. In the development, a quasi‐static beam model that combines geometric nonlinearity in beam deflection with a temperature‐dependent constitutive law of SMP material is obtained, which is followed by derivation of the dynamic equations of the SMPC beam. Furthermore, several finite element models are devised for numerical solutions, which include both beam and shell elements. Finally, in numerical simulation, the quasi‐static SMPC beam model is used to show the physical behaviors of the SMPC beam in shape fixation and shape recovery. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.